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碳化硅是如何形成的:
文章出處：金嶺環(huán)保點(diǎn)擊率：發(fā)布時(shí)間：19-01-08
碳化硅是如何形成的:
目前，關(guān)于碳化硅形成的理論有各種不同的解釋。可以歸納為下列幾種：
第一種：
碳與二氧化硅在高溫下作用，碳先把二氧化硅還原為硅。這是反應(yīng)進(jìn)程的第一步。緊接著碳與所形成的硅反應(yīng)，生成碳化硅。也就是說(shuō)爐內(nèi)反應(yīng)按下列方程式進(jìn)行：
SiO2+C→Si+2CO
Si+C→SiC
第二種：
二氧化硅與碳在高溫下作用，二氧化硅先被碳還原為一氧化硅，然后一氧化硅再與碳作用，形成碳化硅。也有一些一氧化硅繼續(xù)被碳還原成為硅，硅再與痰作用形成碳化硅。按照這種見解而寫成的化學(xué)反應(yīng)方程式為：
SiO2+C→SiO+CO
SiO2+2C→SiC+CO
SiO+C→Si+CO
Si+C→SiC
第三種：
爐內(nèi)反應(yīng)應(yīng)該是二氧化硅與碳作用，直接形成碳化硅，即：
SiO2+3C→SiC+2CO
而且，在爐內(nèi)反應(yīng)所涉及的系統(tǒng)中的任何情況下，碳化硅形成都應(yīng)該發(fā)生于硅形成之前。至于爐內(nèi)偶然觀察到有硅形成，那只不過(guò)是因?yàn)橛赡艽龠M(jìn)硅形成的雜質(zhì)(如鐵、鋁等)所引起的異常現(xiàn)象，或者是由于爐芯附近碳化硅分解所致。3克分子碳與1克分子二氧化硅作用，生成1克分子碳化硅與2克分子一氧化碳的重量關(guān)系，應(yīng)該是爐料計(jì)算的唯一基礎(chǔ)。
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